Биполярный транзистор DTC115TE Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DTC115TE
Маркировка: 9_`09
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-416
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DTC115TE Datasheet (PDF)
dtc115te.pdf

DTC115T seriesDatasheetNPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutline VMT3 EMT3Parameter ValueCollector Collector VCEO50VBase Base IC100mAEmitter Emitter R1100kWDTC115TM DTC115TE (SC-105AA) SOT-416 (SC-75A) UMT3 SMT3Collector Collector lFeaturesBase Base 1) Built-In Biasing ResistorsEmitter Emitter 2)
dtc115te dtc115tm.pdf

DTC115T seriesDatasheetNPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value VMT3 EMT3VCEO50VIC100mA R1100kDTC115TM DTC115TE(SC-105AA) SOT-416(SC-75A) UMT3 SMT3lFeaturesl1) Built-In Biasing Resistor 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTC115TUA DTC115T
ddtc115te.pdf

DDTC (R1-ONLY SERIES) ENPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: SOT523 Complementary PNP Types Available (DDTA) Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound (Notes 2 & 3). UL Flammability Classification Rating 94V-0 Built-In Biasing Resistor, R1 only Moisture Sensitiv
dtc115tet1g dtc115tm3 dtc115tm3t5g.pdf

MUN2241, MMUN2241L,MUN5241, DTC115TE,DTC115TM3, NSBC115TF3Digital Transistors (BRT)R1 = 100 kW, R2 = 8 kWhttp://onsemi.comNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: DCX114EK | DTC143ZET1G | 2SB764 | KSC2669Y | BFQ268 | 2N6439 | ERS140
History: DCX114EK | DTC143ZET1G | 2SB764 | KSC2669Y | BFQ268 | 2N6439 | ERS140



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200