DTC115TE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC115TE

Маркировка: 9_`09

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для DTC115TE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC115TE даташит

 ..1. Size:560K  rohm
 dtc115te.pdf pdf_icon

DTC115TE

DTC115T series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline VMT3 EMT3 Parameter Value Collector Collector VCEO 50V Base Base IC 100mA Emitter Emitter R1 100kW DTC115TM DTC115TE (SC-105AA) SOT-416 (SC-75A) UMT3 SMT3 Collector Collector lFeatures Base Base 1) Built-In Biasing Resistors Emitter Emitter 2)

 ..2. Size:1142K  rohm
 dtc115te dtc115tm.pdf pdf_icon

DTC115TE

DTC115T series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3 VCEO 50V IC 100mA R1 100k DTC115TM DTC115TE (SC-105AA) SOT-416(SC-75A) UMT3 SMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistor 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTC115TUA DTC115T

 0.1. Size:92K  diodes
 ddtc115te.pdf pdf_icon

DTC115TE

DDTC (R1-ONLY SERIES) E NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case SOT523 Complementary PNP Types Available (DDTA) Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound (Notes 2 & 3). UL Flammability Classification Rating 94V-0 Built-In Biasing Resistor, R1 only Moisture Sensitiv

 0.2. Size:150K  onsemi
 dtc115tet1g dtc115tm3 dtc115tm3t5g.pdf pdf_icon

DTC115TE

MUN2241, MMUN2241L, MUN5241, DTC115TE, DTC115TM3, NSBC115TF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 100 kW, R2 = 8 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTC115EKAFRA, DTC115EM3, DTC115EM3T5G, DTC115EMFHA, DTC115EN3, DTC115EUAFRA, DTC115EY3, DTC115TC3, BD135, DTC115TET1G, DTC115TM, DTC123JEFRA, DTC123JET1G, DTC123JKAFRA, DTC123JM3, DTC123JM3T5G, DTC123JMFHA