DTC123JN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC123JN3

Маркировка: 8M

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DTC123JN3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC123JN3 даташит

 ..1. Size:290K  cystek
dtc123jn3.pdfpdf_icon

DTC123JN3

Spec. No. C360N3 Issued Date 2005.09.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.01.24 Page No. 1/6 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC123JN3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wi

 7.1. Size:54K  motorola
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

DTC123JN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 7.2. Size:55K  motorola
pdtc123je 3.pdfpdf_icon

DTC123JN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC123JE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage 3 3

 7.3. Size:56K  motorola
pdtc123jt 3.pdfpdf_icon

DTC123JN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC123JT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design

Другие транзисторы: DTC115TET1G, DTC115TM, DTC123JEFRA, DTC123JET1G, DTC123JKAFRA, DTC123JM3, DTC123JM3T5G, DTC123JMFHA, 8550, DTC123JUAFRA, DTC123TE, DTC123TET1G, DTC123TKA, DTC123TM3, DTC123TM3T5G, DTC123TN3, DTC123YEFRA