Справочник транзисторов. DTC123JN3

 

Биполярный транзистор DTC123JN3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTC123JN3
   Маркировка: 8M
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для DTC123JN3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC123JN3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  cystek
dtc123jn3.pdfpdf_icon

DTC123JN3

Spec. No. : C360N3 Issued Date : 2005.09.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.01.24 Page No. : 1/6 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC123JN3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wi

 7.1. Size:54K  motorola
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

DTC123JN3

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC123JEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 27Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

 7.2. Size:55K  motorola
pdtc123je 3.pdfpdf_icon

DTC123JN3

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC123JENPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 Aug 03Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage33

 7.3. Size:56K  motorola
pdtc123jt 3.pdfpdf_icon

DTC123JN3

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC123JTNPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 krespectively) Simplification of circuit design

Другие транзисторы... DTC115TET1G , DTC115TM , DTC123JEFRA , DTC123JET1G , DTC123JKAFRA , DTC123JM3 , DTC123JM3T5G , DTC123JMFHA , D209L , DTC123JUAFRA , DTC123TE , DTC123TET1G , DTC123TKA , DTC123TM3 , DTC123TM3T5G , DTC123TN3 , DTC123YEFRA .

 

 
Back to Top

 


 
.