EMD12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD12

Маркировка: D12

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD12

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD12 даташит

 ..1. Size:535K  rohm
 emd12 umd12n.pdf pdf_icon

EMD12

EMD12 / UMD12N Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 47kW EMD12 UMD12N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kW Parameter Value VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1

 ..2. Size:70K  rohm
 emd12 umd12n.pdf pdf_icon

EMD12

EMD12 / UMD12N Transistors Power management (dual digital transistors) EMD12 / UMD12N Features EMD12 1) Both the DTA144E and DTC144E in a EMT or UMT ( ) ( ) 4 3 package. ( ) ( ) 5 2 ( ) ( ) 6 1 1.2 1.6 Equivalent circuit (3) (2) (1) ROHM EMT6 Each lead has same dimensions R1 R2 DTr1 DTr2 UMD12N R2 R1 (4) (5) (6) R1=47k R2=47k 1.25 2.1 Package,

 ..3. Size:703K  htsemi
 emd12.pdf pdf_icon

EMD12

EMD12 General purpose transistors (dual transistors) FEATURES SOT-563 Both the DTC144E chip and DTA144E chip in a package Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. 1 Marking D12 Equivalent circuit TR1 Absolute maximum ratings (Ta=25 ) Paramete

 0.1. Size:140K  philips
 pemd12 pumd12.pdf pdf_icon

EMD12

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMD12; PUMD12 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 08 Supersedes data of 2001 Nov 7 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD12; PUMD12 R1 = 47 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMB11FHA, EMB2, EMC3DXV5T1G, EMC3DXV5T5G, EMC4DXV5, EMC4DXV5T1G, EMC5DXV5, EMC5DXV5T1G, 2N2907, EMD12FHA, EMD2, EMD22, EMD22FHA, EMD29, EMD2FHA, EMD3, EMD30