EMD3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD3

Маркировка: D3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD3 даташит

 ..1. Size:98K  rohm
 emd3 umd3n imd3a umd3n.pdf pdf_icon

EMD3

EMD3 / UMD3N / IMD3A Transistors General purpose (Dual digital transistors) EMD3 / UMD3N / IMD3A Dimensions (Unit mm) Features 1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a EMT EMD3 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (6) (5) (4) automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interfer

 ..2. Size:565K  rohm
 emd3.pdf pdf_icon

EMD3

EMD3 / UMD3N / IMD3A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (5) (6) (4) (5) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMD3 UMD3N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 10kW SMT6 (4) (5) (6) (3) Parameter Valu

 ..3. Size:724K  htsemi
 emd3.pdf pdf_icon

EMD3

EMD3 DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP) FEATURES SOT-563 DTA114E and DTC114E transistors are built-in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut in half. 1 External circuit MARKING D3 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Unit Limits Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -10 40 V I

 0.1. Size:76K  philips
 pemd30 pumd30.pdf pdf_icon

EMD3

PEMD30; PUMD30 NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 01 31 March 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package PNP/PNP NPN/NPN complement complement Philips JEITA PEMD30 SOT66

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMC5DXV5T1G, EMD12, EMD12FHA, EMD2, EMD22, EMD22FHA, EMD29, EMD2FHA, D882P, EMD30, EMD38, EMD3FHA, EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G, EMD5, EMD52