Биполярный транзистор EMD5 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMD5
Маркировка: D5
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SC-107C
EMD5 Datasheet (PDF)
emd5 umd5n.pdf
EMD5 / UMD5NDatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC50V(1) (1) (2) IC(MAX.)100mA (2) (3) (3) R147kWEMD5 UMD5N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kWParameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR14.7k
emd5 umd5n.pdf
EMD5 / UMD5N Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD5 / UMD5N Features External dimensions (Unit : mm) 1) Both the DTA143X chip and DTC144E chip in an EMD5EMT6 or UMT6 package. ( ) ( )4 32) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic ( ) ( )5 26 1mounting machines. ( ) ( )1.21.63) Transistor elements are independent, eliminating inter
emd59.pdf
EMD59DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R110kEMD59R2 (SC-107C)47k Parameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR110kR247klFeatures lInner circuitl l
emd53.pdf
EMD53DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R110kEMD53R2 (SC-107C)10k Parameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR110kR210klFeatures lInner circuitl l
emd52.pdf
EMD52DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R122kEMD52R2 (SC-107C)22k Parameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR122kR222klFeatures lInner circuitl l
emd5dxv6 emd5dxv6t5g.pdf
EMD5DXV6T5GDual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Biashttp://onsemi.comResistor Network(3) (2) (1)The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series base R1 R2resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areQ1designed to r
emd5dxv6-d.pdf
EMD5DXV6T1,EMD5DXV6T5Preferred DevicesProduct PreviewDual Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Bias (3) (2) (1)Resistor NetworkR1 R2Q1The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor withQ2a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseR2 R1resistor and a base-emi
chemd5gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNTCHEMD5GPDual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-563)SOT-563* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabili
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050