Биполярный транзистор EMD5DXV6T5G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMD5DXV6T5G
Маркировка: U5
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.357 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-563
Аналоги (замена) для EMD5DXV6T5G
EMD5DXV6T5G Datasheet (PDF)
emd5dxv6 emd5dxv6t5g.pdf
EMD5DXV6T5GDual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Biashttp://onsemi.comResistor Network(3) (2) (1)The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series base R1 R2resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areQ1designed to r
emd5dxv6-d.pdf
EMD5DXV6T1,EMD5DXV6T5Preferred DevicesProduct PreviewDual Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Bias (3) (2) (1)Resistor NetworkR1 R2Q1The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor withQ2a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseR2 R1resistor and a base-emi
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050