EMD5DXV6T5G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD5DXV6T5G

Маркировка: U5

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.357 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-563

 Аналоги (замена) для EMD5DXV6T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD5DXV6T5G даташит

 ..1. Size:59K  onsemi
 emd5dxv6 emd5dxv6t5g.pdf pdf_icon

EMD5DXV6T5G

EMD5DXV6T5G Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias http //onsemi.com Resistor Network (3) (2) (1) The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base R1 R2 resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are Q1 designed to r

 6.1. Size:61K  onsemi
 emd5dxv6-d.pdf pdf_icon

EMD5DXV6T5G

EMD5DXV6T1, EMD5DXV6T5 Preferred Devices Product Preview Dual Bias Resistor Transistors http //onsemi.com NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias (3) (2) (1) Resistor Network R1 R2 Q1 The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with Q2 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base R2 R1 resistor and a base-emi

Другие транзисторы: EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G, EMD5, EMD52, EMD53, EMD59, EMD5DXV6, BD139, EMD6, EMD62, EMD6FHA, EMD72, EMD9, EMD9FHA, EMF18XV6, EMF18XV6T5