Справочник транзисторов. EMD6

 

Биполярный транзистор EMD6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMD6
   Маркировка: D6
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-107C
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

EMD6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  rohm
 emd6.pdf pdf_icon

EMD6

EMD6 / UMD6N / IMD6ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6) (6) (5) (5) VCEO50V(4) (4) (1) (1) IC (2) (2) 100mA(3) (3) R14.7kWEMD6 UMD6N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4) (5) Parameter Value (6) (3) VCEO-50V (2) (1) IC

 ..2. Size:67K  rohm
 emd6 umd6n imd6a umd6n.pdf pdf_icon

EMD6

EMD6 / UMD6N / IMD6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD6 / UMD6N / IMD6A Features External dimensions (Units : mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT EMD6or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3)(5) (2)automatic mounting machines. (6) (1)1.21.63) Transistor elements are independent, elimin

 ..3. Size:460K  htsemi
 emd6.pdf pdf_icon

EMD6

EMD6DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP)FEATURES SOT-563 DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. 1 Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut in half. External circuit MARKING:D6 Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage V(BR)CBO 50 VCollector-emitter

 0.1. Size:272K  philips
 pemd6 pumd6.pdf pdf_icon

EMD6

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMD6; PUMD6NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Apr 07Supersedes data of 2003 Nov 04NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD6; PUMD6R1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES DESCRIPTION Built-in bias resistors NPN/PNP resistor-equipped transistors (see

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TN3569 | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614

 

 
Back to Top

 


 
.