EMD6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD6

Маркировка: D6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD6 даташит

 ..1. Size:486K  rohm
 emd6.pdf pdf_icon

EMD6

EMD6 / UMD6N / IMD6A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) IC (2) (2) 100mA (3) (3) R1 4.7kW EMD6 UMD6N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5) Parameter Value (6) (3) VCEO -50V (2) (1) IC

 ..2. Size:67K  rohm
 emd6 umd6n imd6a umd6n.pdf pdf_icon

EMD6

EMD6 / UMD6N / IMD6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMD6 / UMD6N / IMD6A Features External dimensions (Units mm) 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT EMD6 or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, elimin

 ..3. Size:460K  htsemi
 emd6.pdf pdf_icon

EMD6

EMD6 DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP) FEATURES SOT-563 DTA143T(PNP) and DTC143T(NPN) transistors are built-in a package. 1 Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut in half. External circuit MARKING D6 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage V(BR)CBO 50 V Collector-emitter

 0.1. Size:272K  philips
 pemd6 pumd6.pdf pdf_icon

EMD6

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMD6; PUMD6 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = open Product data sheet 2004 Apr 07 Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD6; PUMD6 R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES DESCRIPTION Built-in bias resistors NPN/PNP resistor-equipped transistors (see

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G, EMD5, EMD52, EMD53, EMD59, EMD5DXV6, EMD5DXV6T5G, 2N3904, EMD62, EMD6FHA, EMD72, EMD9, EMD9FHA, EMF18XV6, EMF18XV6T5, EMF18XV6T5G