EMG2 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: EMG2
Маркировка: G2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68
Корпус транзистора: SC-107BB
Аналоги (замена) для EMG2
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
EMG2 даташит
emg2.pdf
EMG2 / UMG2N / FMG2A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT5 UMT5 Parameter Tr1 and Tr2 (3) (5) (2) VCC 50V (1) (4) (1) (4) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (5) R1 47kW EMG2 UMG2N R2 (SC-107BB) 47kW SOT-353 (SC-88A) SMT5 (1) lFeatures (2) 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 47kW. (5) (4) 2) Tw
emg2 umg2n fmg2a umg2n.pdf
EMG2 / UMG2N / FMG2A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG2 / UMG2N / FMG2A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT EMG2 package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Dual NPN digital transistor Each lead has same dimensions (each with a single built i
emg2dxv5t1 emg5dxv5 emg2dxv5t5g emg5dxv5t1.pdf
EMG2DXV5T1, EMG5DXV5T1 Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor NPN SILICON Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias net
chemg2gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG2GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 30 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current c
Другие транзисторы: EMD9, EMD9FHA, EMF18XV6, EMF18XV6T5, EMF18XV6T5G, EMF5XV6, EMF5XV6T5G, EMG1, 2SA1943, EMG2DXV5T5G, EMG3, EMG4, EMG5, EMG5DXV5T1, EMG6, EMG8, EMG9
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo




