EMG3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMG3

Маркировка: G3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-107BB

 Аналоги (замена) для EMG3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMG3 даташит

 ..1. Size:398K  rohm
 emg3.pdf pdf_icon

EMG3

EMG3 / UMG3N / FMG3A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT5 UMT5 Parameter Tr1 and Tr2 (3) (5) (2) VCEO (1) 50V (4) (1) (4) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (5) R1 4.7kW EMG3 UMG3N (SC-107BB) SOT-353 (SC-88A) SMT5 (1) lFeatures (2) (5) 1) Built-In Biasing Resistors. (4) (3) 2) Two DTC143T chips in o

 ..2. Size:62K  rohm
 emg3 umg3n fmg3a umg3n.pdf pdf_icon

EMG3

EMG3 / UMG3N / FMG3A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG3 / UMG3N / FMG3A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC143T chips in a EMT or UMT or SMT EMG3 package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Dual NPN digital transistor Each lead has same dimensions (each with a single built

 0.1. Size:116K  chenmko
 chemg3gp.pdf pdf_icon

EMG3

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG3GP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current

Другие транзисторы: EMF18XV6, EMF18XV6T5, EMF18XV6T5G, EMF5XV6, EMF5XV6T5G, EMG1, EMG2, EMG2DXV5T5G, A1015, EMG4, EMG5, EMG5DXV5T1, EMG6, EMG8, EMG9, EMH1, EMH10