EMG8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMG8

Маркировка: G8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-107BB

 Аналоги (замена) для EMG8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMG8 даташит

 ..1. Size:67K  rohm
 emg8 umg8n fmg8a.pdf pdf_icon

EMG8

EMG8 / UMG8N / FMG8A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG8 / UMG8N / FMG8A Features External dimensions (Units mm) 1) Two DTC143Z chips in a EMT or UMT or SMT EMG8 package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Each lead has same dimensions Epitaxial planar type ROHM EMT5 NPN silicon transistor Abbrevia

 ..2. Size:413K  rohm
 emg8.pdf pdf_icon

EMG8

EMG8 / UMG8N Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT5 UMT5 Parameter Tr1 and Tr2 (3) (5) (2) VCC (1) 50V (4) (1) (4) IC(MAX.) (2) 100mA (3) (5) R1 4.7kW EMG8 UMG8N R2 (SC-107BB) 47kW SOT-353 (SC-88A) lFeatures lInner circuit 1) Built-In Biasing Resistors. 2) Two DTC143Z chips in one package. GND

 ..3. Size:649K  htsemi
 emg8.pdf pdf_icon

EMG8

EMG8 d u al d ig ital tran sisto rs ( NPN+ NPN) SOT-553 FEATURES Two DTC143Z chips in a package Mounting cost and area can be cut in half 1 Marking G8 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 ) Symbol Parameter Value Units VCC Supply Voltage 50 V Vi Input voltage -5 30 V IO Output current 100 mA PD Power dissipation 150 mW TJ Junction temperature 150

 0.1. Size:139K  chenmko
 chemg8gp.pdf pdf_icon

EMG8

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG8GP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMG1, EMG2, EMG2DXV5T5G, EMG3, EMG4, EMG5, EMG5DXV5T1, EMG6, BC557, EMG9, EMH1, EMH10, EMH10FHA, EMH11, EMH11FHA, EMH15, EMH15FHA