EMG9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMG9

Маркировка: G9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-107BB

 Аналоги (замена) для EMG9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMG9 даташит

 ..1. Size:439K  rohm
emg9.pdfpdf_icon

EMG9

EMG9 / UMG9N / FMG9A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT5 UMT5 Parameter Tr1 and Tr2 (3) (5) (2) (1) (4) VCC 50V (1) (4) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (5) R1 10kW EMG9 UMG9N R2 (SC-107BB) 10kW SOT-353 (SC-88A) SMT5 (1) lFeatures (2) 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10kW. (5) (4) (3)

 ..2. Size:67K  rohm
emg9 umg9n fmg9a umg9n.pdfpdf_icon

EMG9

EMG9 / UMG9N / FMG9A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG9 / UMG9N / FMG9A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTC114E in a EMT or UMT or SMT package. EMG9 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor Each lead has same dimensions ROHM EMT5 (Built

 0.1. Size:90K  chenmko
chemg9gp.pdfpdf_icon

EMG9

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG9GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current

Другие транзисторы: EMG2, EMG2DXV5T5G, EMG3, EMG4, EMG5, EMG5DXV5T1, EMG6, EMG8, TIP42C, EMH1, EMH10, EMH10FHA, EMH11, EMH11FHA, EMH15, EMH15FHA, EMH1FHA