EMH3 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: EMH3
Маркировка: H3
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SC-107C
Аналоги (замена) для EMH3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
EMH3 даташит
emh3.pdf
EMH3 / UMH3N / IMH3A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 4.7kW EMH3 UMH3N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5) lFeatures (6) 1) Built-In Biasing Resistors. (3) (2) 2)
emh3 umh3n imh3a umh3n.pdf
EMH3 / UMH3N / IMH3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH3 / UMH3N / IMH3A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTAK13Ts chips in a EMT or UMT or SMT EMH3 package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating interferen
emh3.pdf
EMH3 DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ NPN) SOT-563 FEATURES Two DTC143T chips in a UMT package Transistor elements are independent, eliminating interference 1 Mounting cost and area can be cut in half. External circuit MARKING H3 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage V(BR)CBO 50 V Collector-emitter voltage V(BR)CEO 50 V Emit
pemh30 pumh30.pdf
PEMH30; PUMH30 NPN/NPN double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 01 28 March 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP PNP/PNP complement complement Philips JEITA PEMH30 SOT66
Другие транзисторы: EMH11, EMH11FHA, EMH15, EMH15FHA, EMH1FHA, EMH2, EMH25, EMH2FHA, A733, EMH3FHA, EMH4, EMH4FHA, EMH51, EMH52, EMH53, EMH59, EMH6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики







