EMH9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH9

Маркировка: H9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH9 даташит

 ..1. Size:458K  rohm
 emh9.pdf pdf_icon

EMH9

EMH9 / UMH9N / IMH9A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH9 UMH9N R2 (SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5) lFeatures (6) (3) 1) Built-In Biasing Resistor

 ..2. Size:67K  rohm
 emh9 umh9n imh9a umh9n.pdf pdf_icon

EMH9

EMH9 / UMH9N / IMH9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH9 / UMH9N / IMH9A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC114Ys chips in a EMT or UMT or SMT EMH9 package. (4) (3) 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (5) (2) (6) (1) 1.2 automatic mounting machines. 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating interferen

 ..3. Size:541K  htsemi
 emh9.pdf pdf_icon

EMH9

EMH9 digital transistor (NPN+ NPN) SOT-563 FEATURES Two DTC114Ys chips in a package. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area can be cut in half. 1 External circuit MARKING H9 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Unit Limits Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -6 40 V IO 70 Output current mA IC

 0.1. Size:151K  philips
 pimh9 pumh9 pemh9.pdf pdf_icon

EMH9

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PIMH9; PUMH9; PEMH9 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 14 Supersedes data of 2003 Sep 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PIMH9; PUMH9; R1 = 10 k , R2 = 47 k PEMH9 FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMH52, EMH53, EMH59, EMH6, EMH60, EMH61, EMH6FHA, EMH75, BC558, EMH9FHA, EML17, EML20, FA4A3Q, FA4A4L, FA4A4M, FA4A4P, FA4A4Z