Справочник транзисторов. HBA114TS6R

 

Биполярный транзистор HBA114TS6R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBA114TS6R
   Маркировка: 0E
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для HBA114TS6R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBA114TS6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  cystek
 hba114ts6r.pdf pdf_icon

HBA114TS6R

Spec. No. : C254S6R Issued Date : 2003.05.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.21 Page No. : 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114TS6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

 8.1. Size:237K  cystek
 hba114es6r.pdf pdf_icon

HBA114TS6R

Spec. No. : C252S6R Issued Date : 2003.05.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.21 Page No. : 1/6 Dual PNP Digital Transistors HBA114ES6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol

Другие транзисторы... GN4L3M , GN4L3N , GN4L3Z , GN4L4K , GN4L4L , GN4L4M , GN4L4Z , HBA114ES6R , 2N2222A , HBA143ES6R , HBA143TS6R , HBA143ZS6R , HBA144ES6R , HBC114ES6R , HBC114TS6R , HBC114YC6 , HBC114YS5 .

History: TRR50-12

 

 
Back to Top

 


 
.