MUN5137DW1T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MUN5137DW1T1G  📄📄 

Маркировка: 0P

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.187 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MUN5137DW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MUN5137DW1T1G даташит

 0.1. Size:132K  onsemi
 nsvmun5137dw1t1g.pdf pdf_icon

MUN5137DW1T1G

MUN5137DW1, NSBA144WDXV6, NSBA144WDP6 Dual PNP Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 47 kW, R2 = 22 kW PIN CONNECTIONS PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single R1 R2 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 4.1. Size:290K  onsemi
 mun5137dw1 nsba144wdxv6 nsba144wdp6.pdf pdf_icon

MUN5137DW1T1G

MUN5137DW1, NSBA144WDXV6, NSBA144WDP6 Dual PNP Bias Resistor Transistors www.onsemi.com R1 = 47 kW, R2 = 22 kW PIN CONNECTIONS PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single R1 R2 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a

 4.2. Size:118K  onsemi
 mun5137dw1.pdf pdf_icon

MUN5137DW1T1G

MUN5137DW1, NSBA144WDXV6, NSBA144WDP6 Dual PNP Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 47 kW, R2 = 22 kW PIN CONNECTIONS PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single R1 R2 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor wit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MUN5134DW1T1G, MUN5134T1G, MUN5135DW1T1G, MUN5135T1G, MUN5136DW1, MUN5136DW1T1G, MUN5136T1G, MUN5137DW1, 8550, MUN5137T1G, MUN5138, MUN5138T1G, MUN5140, MUN5140T1G, MUN5141, MUN5141T1G, MUN5211DW1T1G