Справочник транзисторов. 2SA1105

 

Биполярный транзистор 2SA1105 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1105
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для 2SA1105

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1105 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  wingshing
2sa1105.pdfpdf_icon

2SA1105

2SA1105 PNP PLANAR SILICON TRANSISTORAUDIO POWER AMPLIFIERDC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SC2577 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -160 V Collector-Emitter Voltage VCEO -120 V Emitter-Base voltage VEBO -6 V Collector Current (DC) IC -9

 ..2. Size:149K  jmnic
2sa1105.pdfpdf_icon

2SA1105

JMnic Product SpecificationSilicon PNP Power Transistors 2SA1105 DESCRIPTION With TO-3PN package High frequency High power dissipation APPLICATIONS Audio power amplifer applications DC-DC converters PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=

 ..3. Size:223K  inchange semiconductor
2sa1105.pdfpdf_icon

2SA1105

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1105DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Co

 8.1. Size:79K  wingshing
2sa1104.pdfpdf_icon

2SA1105

Silicon Epitaxial Planar Transistor2SA1104GENERAL DESCRIPTION Silicon PNP high frequency, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in audio and general purposeMT-100QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP MAX UNITCollector-emitter voltage peak value VBE = 0VVCESM - 120 VCollector-emitter voltage (open base)VCEO - 120 VCollector curren

Другие транзисторы... 2SA1096 , 2SA1096A , 2SA1097 , 2SA110 , 2SA1100 , 2SA1102 , 2SA1103 , 2SA1104 , D882 , 2SA1106 , 2SA1107 , 2SA1107A , 2SA1108 , 2SA1108A , 2SA1109 , 2SA111 , 2SA1110 .

History: 2N1367 | KT3117A | 2SC515

 

 
Back to Top

 


 
.