RTGN426AP - описание и поиск аналогов

 

RTGN426AP - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RTGN426AP
   Маркировка: ND
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для RTGN426AP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTGN426AP - технические параметры

 ..1. Size:159K  isahaya
 rtgn426ap.pdf pdf_icon

RTGN426AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN426AP TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN426AP is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=0.47k ,R2=4.7k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN B

 9.1. Size:129K  isahaya
 rtgn432p.pdf pdf_icon

RTGN426AP

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR RTGN432P TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING Unit mm DISCRIPTION RTGN432P is a one chip transistor with 4.6 MAX 1.5 built-in bias transistor. 1.6 FEATURE Built-in bias resistor R1=4.7k ,R2=10k 4.2 MAX 2.5 High collector current IC=1A E C B 0.8 MIN Built-i

Другие транзисторы... RTBN234AP1 , RTBN426AP1 , RTBN432AP1 , RTGN131AP , RTGN141AP , RTGN14BAP , RTGN226AP , RTGN234AP , 2N2907 , RTGN432P , UMB10NFHA , UMB11NFHA , UMB2NFHA , UMB3NFHA , UMB4NFHA , UMB6NFHA , UMC2NT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.