Справочник транзисторов. UMH10NFHA

 

Биполярный транзистор UMH10NFHA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMH10NFHA
   Маркировка: H10
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-88
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

UMH10NFHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1017K  rohm
 emh10fha umh10nfha.pdf pdf_icon

UMH10NFHA

AEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual digital transistors) EMH10 / UMH10N EMH10FHA / UMH10NFHAStructure Dimensions (Unit : mm)Epitaxial planar type NPN silicon transistor EMH10FHAEMH10(Built-in resistor type)(4) (3)(5) (2)(6) (1)Features1.21.61) Two DTC123J chips in a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machi

 8.1. Size:61K  rohm
 umh10n imh10a h10 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

UMH10NFHA

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMH10N / IMH10AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC123J chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN

 8.2. Size:61K  rohm
 umh10n.pdf pdf_icon

UMH10NFHA

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMH10N / IMH10AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC123J chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN

 8.3. Size:291K  htsemi
 umh10n.pdf pdf_icon

UMH10NFHA

UMH10N General purpose transistors (dual transistors)SOT-363 FEATURES Two DTC123J chips in a package 1 Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. Marking: H10 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Limits UnitSupp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BC238C | TD13005SMD | GFT41 | ST33 | BDW94CF | GI2716 | MJD243T4

 

 
Back to Top

 


 
.