UMH10NFHA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UMH10NFHA

Маркировка: H10

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для UMH10NFHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMH10NFHA даташит

 ..1. Size:1017K  rohm
 emh10fha umh10nfha.pdf pdf_icon

UMH10NFHA

AEC-Q101 Qualified General purpose (dual digital transistors) EMH10 / UMH10N EMH10FHA / UMH10NFHA Structure Dimensions (Unit mm) Epitaxial planar type NPN silicon transistor EMH10FHA EMH10 (Built-in resistor type) (4) (3) (5) (2) (6) (1) Features 1.2 1.6 1) Two DTC123J chips in a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machi

 8.1. Size:61K  rohm
 umh10n imh10a h10 sot23-6 sot363.pdf pdf_icon

UMH10NFHA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH10N / IMH10A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC123J chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN

 8.2. Size:61K  rohm
 umh10n.pdf pdf_icon

UMH10NFHA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH10N / IMH10A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC123J chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN

 8.3. Size:291K  htsemi
 umh10n.pdf pdf_icon

UMH10NFHA

UMH10N General purpose transistors (dual transistors) SOT-363 FEATURES Two DTC123J chips in a package 1 Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. Marking H10 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Supp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: UMD22N, UMD22NFHA, UMD2NFHA, UMD3NFHA, UMD4N, UMD5N, UMD6NFHA, UMD9NFHA, 2N2222, UMH11NFHA, UMH14N, UMH14NFHA, UMH1NFHA, UMH2NFHA, UMH32N, UMH33N, UMH3NFHA