Справочник транзисторов. UMH10NFHA

 

Биполярный транзистор UMH10NFHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: UMH10NFHA

Маркировка: H10

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80

Корпус транзистора: SC-88

Аналоги (замена) для UMH10NFHA

 

 

UMH10NFHA Datasheet (PDF)

1.1. umh10nfha.pdf Size:1017K _upd

UMH10NFHA
UMH10NFHA

AEC-Q101 Qualified General purpose (dual digital transistors) EMH10 / UMH10N EMH10FHA / UMH10NFHA Structure Dimensions (Unit : mm) Epitaxial planar type NPN silicon transistor EMH10FHA EMH10 (Built-in resistor type) (4) (3) (5) (2) (6) (1) Features 1.2 1.6 1) Two DTC123J chips in a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machi

4.1. umh10n imh10a h10 sot23-6 sot363.pdf Size:61K _rohm

UMH10NFHA
UMH10NFHA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH10N / IMH10A FFeatures FExternal dimensions (Units: mm) 1) Two DTC123J chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN sil

4.2. umh10n.pdf Size:61K _rohm

UMH10NFHA
UMH10NFHA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH10N / IMH10A FFeatures FExternal dimensions (Units: mm) 1) Two DTC123J chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN sil

 4.3. umh10n.pdf Size:291K _htsemi

UMH10NFHA

UMH10N General purpose transistors (dual transistors) SOT-363 FEATURES Two DTC123J chips in a package 1 Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. Marking: H10 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25?) Parameter Symbol Limits Unit Supply vo

Другие транзисторы... D32S8 , D32S9 , D32W10 , D32W11 , D32W12 , D32W13 , D32W14 , D32W7 , S8050 , D32W9 , D33D1 , D33D2 , D33D21 , D33D22 , D33D23 , D33D24 , D33D25 .

 

 

Back to Top

 


UMH10NFHA
  UMH10NFHA
  UMH10NFHA
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: 2SA1897 | KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA |

 

 

 

Back to Top