Справочник транзисторов. UMH3NFHA

 

Биполярный транзистор UMH3NFHA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMH3NFHA
   Маркировка: H3
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-353
 

 Аналог (замена) для UMH3NFHA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMH3NFHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1263K  rohm
emh3fha umh3nfha imh3afra.pdfpdf_icon

UMH3NFHA

EMH3FHA / UMH3NFHA / IMH3AFRAEMH3 / UMH3N / IMH3ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R14.7kWEMH3 UMH3N EMH3FHA UMH3NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4) (5

 ..2. Size:1222K  rohm
emh3fha umh3nfha.pdfpdf_icon

UMH3NFHA

EMH3FHA / UMH3NFHA / IMH3AFRAEMH3 / UMH3N / IMH3ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCEO (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R14.7kWEMH3 UMH3N EMH3FHA UMH3NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4) (5

 9.1. Size:61K  rohm
emh3 umh3n imh3a umh3n.pdfpdf_icon

UMH3NFHA

EMH3 / UMH3N / IMH3A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH3 / UMH3N / IMH3A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTAK13Ts chips in a EMT or UMT or SMT EMH3package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3)(5) (2)automatic mounting machines. (6) (1)1.21.63) Transistor elements are independent, eliminating interferen

 9.2. Size:50K  rohm
umh3n imh3a h3 sot23-6sot363.pdfpdf_icon

UMH3NFHA

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMH3N / IMH3AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTAK13Ts chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistorThe following characteristics

Другие транзисторы... UMH10NFHA , UMH11NFHA , UMH14N , UMH14NFHA , UMH1NFHA , UMH2NFHA , UMH32N , UMH33N , 13007 , UMH4NFHA , UMH5NFHA , UMH6NFHA , UMH8NFHA , UMH9NFHA , US6H23 , 2SC9014 , 3DD4212DT .

History: LBC846BLT1G | 2N1530A

 

 
Back to Top

 


 
.