Справочник транзисторов. KRC663E

 

Биполярный транзистор KRC663E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KRC663E

Маркировка: NO

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: TESV

Аналоги (замена) для KRC663E

УЗНАТЬ ЦЕНУ

 

 

KRC663E Datasheet (PDF)

5.1. krc660f-krc664f.pdf Size:387K _kec

KRC663E
KRC663E

SEMICONDUCTOR KRC660F~KRC664F EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 ·With Built-in Bias Resistors. ·Simplify Circuit Design. ·Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. DIM MILLIMETERS ·High Packing Density. _ + A 1.0 0.05 _ + A1 0.7 0.05 ·Thin Fine Pitch Super m

5.2. krc660e-krc664e.pdf Size:50K _kec

KRC663E
KRC663E

SEMICONDUCTOR KRC660E~KRC664E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES ·With Built-in Bias Resistors. ·Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + ·Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 ·High Packing Density. _

 5.3. krc666e-krc672e.pdf Size:69K _kec

KRC663E
KRC663E

SEMICONDUCTOR KRC666E~KRC672E EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B B1 FEATURES ·With Built-in Bias Resistors. ·Simplify Circuit Design. 1 5 DIM MILLIMETERS _ A 1.6 0.05 + ·Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 1.0 0.05 2 _ + B 1.6 0.05 _ + B1 1.2 0.05 C 0.50 3

5.4. krc660u-krc664u.pdf Size:51K _kec

KRC663E
KRC663E

SEMICONDUCTOR KRC660U~KRC664U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 High Packing

 5.5. krc666u-krc672u.pdf Size:428K _kec

KRC663E
KRC663E

SEMICONDUCTOR KRC666U~KRC672U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR TECHNICAL DATA SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION B FEATURES B1 ·With Built-in Bias Resistors. 1 5 DIM MILLIMETERS _ ·Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 2 _ A1 1.3 + 0.1 ·Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 C 0.65 D

Другие транзисторы... UMH33N , UMH3NFHA , UMH4NFHA , UMH5NFHA , UMH6NFHA , UMH8NFHA , UMH9NFHA , US6H23 , 2SC945 , 3DD4212DT , 3DD2499 , E3150 , 3DD5287 , MP1526 , SMUN5335DW , KRC663E , KRC664E .

 

 

Back to Top

 


KRC663E
  KRC663E
  KRC663E
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: 2SA1897 | KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA |


 

 

 

Back to Top