MRF660 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF660  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF660

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF660 даташит

 ..1. Size:104K  motorola
 mrf660.pdf pdf_icon

MRF660

Другие транзисторы: 3DD313, 3DD2102, 3DD2901, 3DD5027, AV8050S, BFR360F, HLD133D, MP1620, BC546, HSC2682, MJ13001A, 2T665A9, 2T665B9, FW26025A1, 2SB817C, 2SD1047C, 2SC4714