Справочник транзисторов. MRF660

 

Биполярный транзистор MRF660 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MRF660

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO220AB

Аналоги (замена) для MRF660

 

 

MRF660 Datasheet (PDF)

1.1. mrf660.pdf Size:104K _update_bjt

MRF660
MRF660



Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top