Справочник транзисторов. 2T665B9

 

Биполярный транзистор 2T665B9 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2T665B9

Маркировка: 2B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: NA

Аналоги (замена) для 2T665B9

 

 

2T665B9 Datasheet (PDF)

1.1. 2t665a9 2t665b9.pdf Size:61K _update_bjt

2T665B9



Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top