2T665B9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2T665B9  📄📄 

Маркировка: 2B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: NA

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2T665B9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2T665B9 даташит

 ..1. Size:61K  russia
 2t665a9 2t665b9.pdf pdf_icon

2T665B9

Другие транзисторы: AV8050S, BFR360F, HLD133D, MP1620, MRF660, HSC2682, MJ13001A, 2T665A9, BC558, FW26025A1, 2SB817C, 2SD1047C, 2SC4714, 2SC6089, CE1A3Q, CHDTC114EKPT, 3DD5039