FA1L3Z-L38 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FA1L3Z-L38  📄📄 

Маркировка: L38

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: MINI-MOLD

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FA1L3Z-L38

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FA1L3Z-L38 даташит

 8.1. Size:160K  nec
 fa1l3z.pdf pdf_icon

FA1L3Z-L38

 9.1. Size:156K  nec
 fa1l3n.pdf pdf_icon

FA1L3Z-L38

 9.2. Size:151K  nec
 fa1l3m.pdf pdf_icon

FA1L3Z-L38

Другие транзисторы: CHTA27XPT, DC8550B, DC8550C, DC8550D, DC8550E, EB102, FA1L3Z-L36, FA1L3Z-L37, C5198, KSC5802D, KTC601UY, NP061A3, 2SD1710C, 3DD2553, 3DA4544R, 3DA4544O, 3DA4544Y