Справочник транзисторов. 3DD2553

 

Биполярный транзистор 3DD2553 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD2553
   Маркировка: D2553
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.05 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.7 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3P
 

 Аналог (замена) для 3DD2553

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD2553 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  jilin sino
 3dd2553.pdf pdf_icon

3DD2553

NO>e'Y{X[vSgWvfSO{ CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2553 FOR LOW FREQUENCY R3DD2553 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS 1700 V BV CBO8 A I C4 V(max) V

 8.1. Size:25K  shaanxi
 3dd255.pdf pdf_icon

3DD2553

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD257(3DD258)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ8

 9.1. Size:25K  shaanxi
 3dd257.pdf pdf_icon

3DD2553

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD257(3DD258)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ8

 9.2. Size:31K  shaanxi
 3dd253.pdf pdf_icon

3DD2553

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD253(254),3DD255(256),3DD257(258) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... EB102 , FA1L3Z-L36 , FA1L3Z-L37 , FA1L3Z-L38 , KSC5802D , KTC601UY , NP061A3 , 2SD1710C , TIP3055 , 3DA4544R , 3DA4544O , 3DA4544Y , CHT807PTQ , CHT807PTR , CHT807PTS , FJP3305H2 , RD9FE-R .

History: NS1862A | 2SD991K | BCW60FN | 2SD1343 | MP101 | 2SD5041O | MRF475

 

 
Back to Top

 


 
.