UNR921VJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UNR921VJ  📄📄 

Маркировка: FD

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: SC89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UNR921VJ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR921VJ даташит

 8.1. Size:307K  panasonic
 unr921xj un921xj series.pdf pdf_icon

UNR921VJ

Transistors with built-in Resistor UNR92XXJ Series (UN92XXJ Series) Silicon NPN epitaxial planer type Unit mm 1.60+0.05 0.03 For digital circuit 0.12+0.03 0.01 1.00 0.05 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and 1 2 reduction of the number of parts. 0.27 0.02 SS-mini type package, allowing automatic insertion through tape (0.50)(0

Другие транзисторы: UNR921KJ, UN921KJ, UNR921LJ, UN921LJ, UNR921MJ, UNR921NJ, UNR921TJ, UN921TJ, 2SC5198, UNR5210, UNR5211, UNR5212, UNR5213, UNR5214, UNR5215, UNR5216, UNR5217