UNR5211 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: UNR5211 📄📄
Маркировка: 8A
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35
Корпус транзистора: SC70
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для UNR5211
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
UNR5211 даташит
unr521x un521x series.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR521x Series (UN521x Series) Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm For digital circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts 1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape packing and magazine packing (
Другие транзисторы: UNR921LJ, UN921LJ, UNR921MJ, UNR921NJ, UNR921TJ, UN921TJ, UNR921VJ, UNR5210, D965, UNR5212, UNR5213, UNR5214, UNR5215, UNR5216, UNR5217, UNR5218, UNR5219
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: KRA164F | MRF861 | KT603E
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526

