UNR5212 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UNR5212  📄📄 

Маркировка: 8B

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SC70

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UNR5212

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR5212 даташит

 8.1. Size:430K  panasonic
 unr521x un521x series.pdf pdf_icon

UNR5212

Transistors with built-in Resistor UNR521x Series (UN521x Series) Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm For digital circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts 1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape packing and magazine packing (

Другие транзисторы: UN921LJ, UNR921MJ, UNR921NJ, UNR921TJ, UN921TJ, UNR921VJ, UNR5210, UNR5211, 2SD669A, UNR5213, UNR5214, UNR5215, UNR5216, UNR5217, UNR5218, UNR5219, UNR521D