Справочник транзисторов. UNR221V

 

Биполярный транзистор UNR221V Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UNR221V
   Маркировка: FD
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
   Корпус транзистора: SC59
 

 Аналог (замена) для UNR221V

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR221V Datasheet (PDF)

 8.1. Size:427K  panasonic
 unr221x un221x series.pdf pdf_icon

UNR221V

Transistors with built-in ResistorUNR221x Series (UN221x Series)Silicon NPN epitaxial planar transistorUnit: mm0.40+0.100.05For digital circuits0.16+0.100.063 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.1 2 Mini type package allowing easy automatic insertion through tape(0.95) (0.95)packing

Другие транзисторы... UNR221D , UNR221E , UNR221F , UNR221K , UNR221L , UNR221M , UNR221N , UNR221T , TIP41 , UNR221Z , UNR5110 , UNR5111 , UNR5112 , UNR5113 , UNR5114 , UNR5115 , UNR5116 .

 

 
Back to Top

 


 
.