UNR221V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UNR221V  📄📄 

Маркировка: FD

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: SC59

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UNR221V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR221V даташит

 8.1. Size:427K  panasonic
 unr221x un221x series.pdf pdf_icon

UNR221V

Transistors with built-in Resistor UNR221x Series (UN221x Series) Silicon NPN epitaxial planar transistor Unit mm 0.40+0.10 0.05 For digital circuits 0.16+0.10 0.06 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. 1 2 Mini type package allowing easy automatic insertion through tape (0.95) (0.95) packing

Другие транзисторы: UNR221D, UNR221E, UNR221F, UNR221K, UNR221L, UNR221M, UNR221N, UNR221T, 2N5401, UNR221Z, UNR5110, UNR5111, UNR5112, UNR5113, UNR5114, UNR5115, UNR5116