UNR5110 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: UNR5110 📄📄
Маркировка: 6L
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160
Корпус транзистора: SC70
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для UNR5110
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
UNR5110 даташит
unr511x un511x series.pdf
Transistors with built-in Resistor UNR511x Series (UN511x Series) Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm For digital circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts 1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/ magazine packing (0.65) (0.65)
Другие транзисторы: UNR221F, UNR221K, UNR221L, UNR221M, UNR221N, UNR221T, UNR221V, UNR221Z, BC548, UNR5111, UNR5112, UNR5113, UNR5114, UNR5115, UNR5116, UNR5117, UNR5118
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: UNR521L | UN9216J | UNR5118 | 3DD4244DZ | UNR2214
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor

