2N3772J datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3772J  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3772J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3772J даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
2n3772j.pdfpdf_icon

2N3772J

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3772J DESCRIPTION J High DC Current Gain-h 100-150@I = 10A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.4V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 8.1. Size:44K  st
2n3771 2n3772.pdfpdf_icon

2N3772J

2N3771 2N3772 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES DESCRIPTION The 2N3771, 2N3772 are silicon epitaxial-base NPN transistors mounted in Jedec Jedec TO-3 metal case. They are intended for linear amplifiers and inductive switching applications. 1 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit 2N3771

 8.2. Size:85K  onsemi
2n3771 2n3772.pdfpdf_icon

2N3772J

2N3771, 2N3772 2N3771 is a Preferred Device High Power NPN Silicon Power Transistors These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features http //onsemi.com Forward Biased Second Breakdown Current Capability 20 and 30 AMPERE IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc - 2N3771 = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc - 2N3772 POWER TRANSISTO

 8.3. Size:86K  onsemi
2n3772g.pdfpdf_icon

2N3772J

2N3771, 2N3772 2N3771 is a Preferred Device High Power NPN Silicon Power Transistors These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features http //onsemi.com Forward Biased Second Breakdown Current Capability 20 and 30 AMPERE IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc - 2N3771 = 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc - 2N3772 POWER TRANSISTO

Другие транзисторы: UN511V, UN511Z, FJP5027R, FJP5027O, ZDT690, ZDT705, ZDT758, 2N3171H, 9014, 2NC5566, 2SA1012D, 2SC5200H, 2SD1286-Z, 2SD1804L-T, 2SD2901, 2ST501T, 3CD9A