3DD102D - описание и поиск аналогов

 

3DD102D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD102D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для 3DD102D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD102D даташит

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
 3dd102d.pdf pdf_icon

3DD102D

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DD102D DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For aud

 8.1. Size:150K  china
 3dd102.pdf pdf_icon

3DD102D

3DD101/3DD102 NPN A B C D E F PCM TC=75 50 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=3mA 100 150 200 250 300 350 V V(BR)CEO ICE=3mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=50V 0.

 8.2. Size:209K  inchange semiconductor
 3dd102a.pdf pdf_icon

3DD102D

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD102A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain- h = 20(Min.)@I = 2A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.8V(Max)@ I = 2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier , DC Transform

 8.3. Size:210K  inchange semiconductor
 3dd102c.pdf pdf_icon

3DD102D

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD102C DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain- h = 20(Min.)@I = 2A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier , DC Transform

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD100D, 3DD100E, 3DD101A, 3DD101B, 3DD101C, 3DD101D, 3DD101E, 3DD102A, 2N2907, 3DD103E, 3DD104A, 3DD104B, 3DD104C, 3DD104D, 3DD104E, 3DD159A, 3DD159B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.