3DD880 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD880  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-220C

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD880

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD880 даташит

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 3dd880.pdf pdf_icon

3DD880

isc Silicon NPN Power Transistors 3DD880 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 60-300@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR

 0.1. Size:209K  inchange semiconductor
 3dd880x.pdf pdf_icon

3DD880

isc Silicon NPN Power Transistors 3DD880X DESCRIPTION X DC Current Gain -h = 55-75@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

Другие транзисторы: 3DD167D, 3DD167E, 3DD167F, 3DD200D, 3DD202A, 3DD202B, 3DD208, 3DD523, C1815, 3DD880X, 3DF1A, 3DF1B, 3DF1C, 3DF1D, 3DF1E, 3DF1F, 3DF20A