3DD880 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

3DD880 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD880
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-220C

 Аналоги (замена) для 3DD880

 

3DD880 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 3dd880.pdf pdf_icon

3DD880

isc Silicon NPN Power Transistors 3DD880 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 60-300@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR

 0.1. Size:209K  inchange semiconductor
 3dd880x.pdf pdf_icon

3DD880

isc Silicon NPN Power Transistors 3DD880X DESCRIPTION X DC Current Gain -h = 55-75@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

Другие транзисторы... 3DD167D , 3DD167E , 3DD167F , 3DD200D , 3DD202A , 3DD202B , 3DD208 , 3DD523 , C1815 , 3DD880X , 3DF1A , 3DF1B , 3DF1C , 3DF1D , 3DF1E , 3DF1F , 3DF20A .

 

 
Back to Top

 


 
.