BU457 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BU457  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BU457

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU457 даташит

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu457 bu458 bu459.pdf pdf_icon

BU457

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BF457/458/459 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 160V(Min)- BF457 CEO(BR) 250V(Min)- BF458 300V(Min)- BF459 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Intended for video output stages in colour and black And white TV receive

Другие транзисторы: 3DK104E, 3DK104F, A0718, BD912I, BFP420W, BU304F, BU305F, BU415, A1941, BU458, BU459, BUF405AF, BUL1203E, FJL6820, KT8232A, KT8232B, MJB32B