Справочник транзисторов. BU2508DW

 

Биполярный транзистор BU2508DW Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU2508DW
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
   Корпус транзистора: TO247 SOT429
 

 Аналог (замена) для BU2508DW

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2508DW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  philips
 bu2508dw.pdf pdf_icon

BU2508DW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.Features exceptional tolerance to base drive and collecto

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
 bu2508dw.pdf pdf_icon

BU2508DW

isc Silicon NPN Power Transistor BU2508DWDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

 7.1. Size:73K  philips
 bu2508dx.pdf pdf_icon

BU2508DW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an

 7.2. Size:51K  philips
 bu2508d 1.pdf pdf_icon

BU2508DW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508D GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.Features exceptional tolerance to base drive and collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DD15B , 3DD15D , 3DD4515 , BD134 , BDY96D , BU2507AX , BU2507DX , BU2508AW , 2SC5198 , BU2515AX , BU2520AW , BU2523AF , BU2523AX , BU2527AW , BU2532AL , BU2532AW , BU2708AF .

 

 
Back to Top

 


 
.