Справочник транзисторов. BU2532AW

 

Биполярный транзистор BU2532AW Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU2532AW
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
   Корпус транзистора: TO247 SOT429
 

 Аналог (замена) для BU2532AW

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU2532AW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  philips
 bu2532aw bu2532aw 1.pdf pdf_icon

BU2532AW

Philips Semiconductors Initial specification Silicon Diffused Power Transistor BU2532AW GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use inhorizontal deflection circuits of high resolution monitors.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltage peak value VBE =

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
 bu2532aw.pdf pdf_icon

BU2532AW

isc Silicon NPN Power Transistor BU2532AWDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits of highresolution monitors.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 7.1. Size:48K  philips
 bu2532al.pdf pdf_icon

BU2532AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2532AL GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use inhorizontal deflection circuits of high resolution monitors up to 82 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltage pea

 7.2. Size:48K  philips
 bu2532al 1.pdf pdf_icon

BU2532AW

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2532AL GENERAL DESCRIPTIONNew generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use inhorizontal deflection circuits of high resolution monitors up to 82 kHz.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITVCESM Collector-emitter voltage pea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BU2508AW , BU2508DW , BU2515AX , BU2520AW , BU2523AF , BU2523AX , BU2527AW , BU2532AL , BD777 , BU2708AF , BU2708AX , BU406FI , BUT11AI , BUV48BFI , BUW11AW , BUW11W , BUW12AW .

History: K2101 | 2SC2298C | 2SC1246F | KT9121B | SGSIF441

 

 
Back to Top

 


 
.