Справочник транзисторов. BUV48BFI

 

Биполярный транзистор BUV48BFI - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BUV48BFI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4

Корпус транзистора: ISOWATT218

Аналоги (замена) для BUV48BFI

 

 

BUV48BFI Datasheet (PDF)

1.1. bux48b bux48c buv48b buv48c buv48bfi buv48cfi.pdf Size:311K _update_bjt

BUV48BFI
BUV48BFI



1.2. bux48b bux48c buv48b buv48c buv48bfi buv48cfi.pdf Size:311K _st

BUV48BFI
BUV48BFI



 1.3. buv48bfi.pdf Size:215K _inchange_semiconductor

BUV48BFI
BUV48BFI

isc Silicon NPN Power Transistor BUV48BFI DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : V = 600V (Min) CEO(SUS) ·High Current Capability ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for switching and industrial applications from single and three-phase mains. Absolute maximum ratings(Ta=25

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top