BUW11W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW11W

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO247 SOT429

 Аналоги (замена) для BUW11W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW11W даташит

 ..1. Size:79K  philips
buw11w buw11aw 1.pdfpdf_icon

BUW11W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW11W; BUW11AW Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW11W; BUW11AW DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT429 package. e APPLICATIONS Converte

 ..2. Size:79K  philips
buw11w buw11aw.pdfpdf_icon

BUW11W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW11W; BUW11AW Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW11W; BUW11AW DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT429 package. e APPLICATIONS Converte

 ..3. Size:212K  inchange semiconductor
buw11w.pdfpdf_icon

BUW11W

isc Silicon NPN Power Transistor BUW11W DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 850 V CBO V Collector-Emitter

 9.1. Size:72K  philips
buw11f 1.pdfpdf_icon

BUW11W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW11F; BUW11AF Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW11F; BUW11AF DESCRIPTION High-voltage, high-speed, ook, halfpage glass-passivated NPN power transistor in

Другие транзисторы: BU2532AL, BU2532AW, BU2708AF, BU2708AX, BU406FI, BUT11AI, BUV48BFI, BUW11AW, 2N3904, BUW12AW, BUW12W, BUX18A, BUX47AFI, KSD880W, KTC2200, KTC2202, KTD1945