BUW12AW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUW12AW  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO247 SOT429

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUW12AW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW12AW даташит

 ..1. Size:79K  philips
 buw12w buw12aw 1.pdf pdf_icon

BUW12AW

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW12W; BUW12AW Silicon diffused power transistors Product specification 1997 Aug 14 Supersedes data of December 1991 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW12W; BUW12AW DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT429 packag

 ..2. Size:79K  philips
 buw12w buw12aw.pdf pdf_icon

BUW12AW

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW12W; BUW12AW Silicon diffused power transistors Product specification 1997 Aug 14 Supersedes data of December 1991 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW12W; BUW12AW DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT429 packag

 ..3. Size:213K  inchange semiconductor
 buw12aw.pdf pdf_icon

BUW12AW

isc Silicon NPN Power Transistor BUW12AW DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@I = 5A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching industrial applications. ABSO

 8.1. Size:214K  inchange semiconductor
 buw12a.pdf pdf_icon

BUW12AW

isc Silicon NPN Power Transistor BUW12A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@I = 5A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching industrial applications. ABSOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU2532AW, BU2708AF, BU2708AX, BU406FI, BUT11AI, BUV48BFI, BUW11AW, BUW11W, 2N2222, BUW12W, BUX18A, BUX47AFI, KSD880W, KTC2200, KTC2202, KTD1945, MJ10012T