TL142. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TL142

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для TL142

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TL142 даташит

 ..1. Size:195K  inchange semiconductor
 tl142.pdf pdf_icon

TL142

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TL142 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = 5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min) CEO(SUS) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low frequency

 0.1. Size:208K  utc
 utl1426.pdf pdf_icon

TL142

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTL1426 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION SOP-8 The UTL1426 uses UTC s advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие транзисторы: KTC2202, KTD1945, MJ10012T, MJE3055AT, MJE340T, MN638S, TIP2955T, TIP3055T, 13007, WT062, YZ21, 101NU71, 102NU71, 103NU71, 104NU71, 2T951A, 2T951B