BFP196W. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFP196W
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT-343R
Аналоги (замена) для BFP196W
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFP196W даташит
bfp196w.pdf
BFP 196W NPN Silicon RF Transistor For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5GHz F = 1.5 dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configura
bfp196w.pdf
BFP196W Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, low distortion broadband 3 amplifiers in antenna and telecommunications 2 4 systems up to 1.5 GHz at collector currents from 1 20 mA to 80 mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5 GHz, NFmin = 1.3 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visible leads Qual
bfp196w.pdf
isc Silicon NPN RF Transistor BFP196W DESCRIPTION Low Noise Figure NF = 1.3 dB TYP. @V = 6 V, I = 5 mA, f = 1GHz CE C High Gain S 2 = 18dB TYP. 21 @V = 6 V,I = 30 mA,f = 1GHz CE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers. ABSOLU
bfp196.pdf
BFP 196 NPN Silicon RF Transistor For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5GHz F = 1.5 dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configurat
Другие транзисторы: 2T837A, 3CD3C, 3DA27C, 3DA608, 3DA98A, 3DA98B, 3DD164F, BFG540-X, 2SD2499, BFR182TW, BU506A, BU941ZL, BUV26G, DK151G, DS15, J6920, KSA940TU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771









