Биполярный транзистор BFP196W Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BFP196W
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT-343R
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BFP196W Datasheet (PDF)
bfp196w.pdf

BFP 196WNPN Silicon RF Transistor For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5GHz F = 1.5 dB at 900MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configura
bfp196w.pdf

BFP196WLow Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, low distortion broadband3 amplifiers in antenna and telecommunications24 systems up to 1.5 GHz at collector currents from1 20 mA to 80 mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5 GHz, NFmin = 1.3 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visible leads Qual
bfp196w.pdf

isc Silicon NPN RF Transistor BFP196WDESCRIPTIONLow Noise FigureNF = 1.3 dB TYP.@V = 6 V, I = 5 mA, f = 1GHzCE CHigh GainS 2 = 18dB TYP.21@V = 6 V,I = 30 mA,f = 1GHzCE CMinimum Lot-to-Lot variations for robustdevice performance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low noise ,high-gainamplifiers and linear broadband amplifiers.ABSOLU
bfp196.pdf

BFP 196NPN Silicon RF Transistor For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5GHz F = 1.5 dB at 900MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configurat
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2SC1098 | KSC900G | Q-00369C | KT8143M | BF883 | SRA2207UF | NPS3900A
History: 2SC1098 | KSC900G | Q-00369C | KT8143M | BF883 | SRA2207UF | NPS3900A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771