BU941ZL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BU941ZL  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 155 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO-3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BU941ZL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU941ZL даташит

 ..1. Size:286K  1
bu941zl bu941zg.pdfpdf_icon

BU941ZL

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD BU941Z NPN SILICON TRANSISTOR NPN POWER DARLINGTON HIGH VOLTAGE IGNITION 1 TO-3P COIL DRIVER FEATURES 1 TO-220 * NPN Darlington * Integrated antiparallel collector-emitter diode APPLICATIONS 1 * High ruggedness electric ignitions TO-263 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM (2) C B(1) (3) E ORDERING INFORMATION Ordering Number

 ..2. Size:235K  inchange semiconductor
bu941zl.pdfpdf_icon

BU941ZL

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU941ZL DESCRIPTION Built In Clamping Zener High Operating Junction Temperature Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High ruggedness electric ignitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TB B=25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage 350 V CEO VB Emitter-Base

 0.1. Size:247K  cystek
bu941zle3.pdfpdf_icon

BU941ZL

Spec. No. C660E3 Issued Date 2014.01.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 350V BU941ZLE3 IC 15A VCESAT(MAX) 1.6V Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current capability Built-in clamping zener Pb-free lead plating package Applications High ruggedness electronic ignitions Equivalent

 8.1. Size:89K  st
bu941zt bu941ztfp bub941zt.pdfpdf_icon

BU941ZL

BU941ZT/BU941ZTFP BUB941ZT HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY BUILT IN CLAMPING ZENER HIGH OPERATING JUNCTION TEMPERATURE WIDE RANGE OF PACKAGES SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263) 3 3 POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) 2 2 OR IN TAPE & REEL (SUFFIX T4 ) 1 1 TO-220 TO-220FP APPLICATIONS HIGH RUGGEDNESS ELECTRONIC I

Другие транзисторы: 3DA608, 3DA98A, 3DA98B, 3DD164F, BFG540-X, BFP196W, BFR182TW, BU506A, S8550, BUV26G, DK151G, DS15, J6920, KSA940TU, KSC2073TU, MJE15036, MJE15037