Справочник транзисторов. DK151G

 

Биполярный транзистор DK151G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: DK151G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO-3

Аналоги (замена) для DK151G

 

 

DK151G Datasheet (PDF)

1.1. dk151g.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

DK151G
DK151G

isc Silicon NPN Power Transistor DK151G DESCRIPTION ·With TO-3 packaging ·Large collector current ·Low collector saturation voltage ·High power dissipation ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in DC-DC converter ·Driver of solenoid or motor ·For audio amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

5.1. dk151.pdf Size:24K _shaanxi

DK151G

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK151 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features: 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards: GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switching volta

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top