2T837D - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2T837D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2T837D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для 2T837D

 

2T837D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  1
 2t837a 2t837b 2t837v 2t837g 2t837d 2t837e.pdf pdf_icon

2T837D

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
 2t837a.pdf pdf_icon

2T837D

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO With TO-220 packaging Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -

Другие транзисторы... TIP36AT , UM8168L , SS8550-L , SS8550-H , SS8550-J , 2T837B , 2T837V , 2T837G , 2SD669 , 2T837E , 9014M-B , 9014M-C , 9014M-D , 9015M-B , 9015M-C , 9015M-D , HLD128D .

 

 
Back to Top

 


 
.