Справочник транзисторов. 2T837D

 

Биполярный транзистор 2T837D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2T837D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора: TO-220

Аналоги (замена) для 2T837D

 

 

2T837D Datasheet (PDF)

0.1. 2t837a 2t837b 2t837v 2t837g 2t837d 2t837e.pdf Size:131K _1

2T837D
2T837D

9.1. 2t837a.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

2T837D
2T837D

isc Silicon PNP Power Transistor 2T837ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOWith TO-220 packagingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top