Биполярный транзистор 2T837D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2T837D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO-220
2T837D Datasheet (PDF)
9.1. Size:212K inchange semiconductor
2t837a.pdf
2t837a.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2T837ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOWith TO-220 packagingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
