Справочник транзисторов. 3DD401

 

Биполярный транзистор 3DD401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DD401

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO220

Аналоги (замена) для 3DD401

 

 

3DD401 Datasheet (PDF)

0.1. 3dd4013 a1d.pdf Size:181K _crhj

3DD401
3DD401

NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

0.2. 3dd4013a1d.pdf Size:181K _crhj

3DD401
3DD401

NPN R 3DD4013 A1D 3DD4013 A1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd4013a6d.pdf Size:151K _crhj

3DD401
3DD401

NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

0.4. 3dd4013 b1d.pdf Size:182K _crhj

3DD401
3DD401

NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.5. 3dd4013b1d.pdf Size:182K _crhj

3DD401
3DD401

NPN R 3DD4013 B1D 3DD4013 B1D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Ta=25 0.8 W

0.6. 3dd4013 a6d.pdf Size:151K _crhj

3DD401
3DD401

NPN R 3DD4013 A6D 3DD4013 A6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

0.7. 3dd401.pdf Size:221K _inchange_semiconductor

3DD401
3DD401

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD401DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 150V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top