3DD401 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3DD401
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 3DD401
3DD401 - технические параметры
3dd401.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD401 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V(Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-
Другие транзисторы... ST2310DHI , 3DD13005MD-O-HF-N-B , 3DD13005MD-O-Z-N-C , Q3-2 , YZ21D , 3DD1555 , 3DD13007K , BRMJE172D , BD222 , XW6821 , XW6822 , XW6822A , XW6823 , XW6823A , XW13001 , SXW13001 , SXW13001-126 .
History: BM3P03A
History: BM3P03A
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y