3CD010G - описание и поиск аналогов

 

3CD010G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3CD010G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 3CD010G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD010G - технические параметры

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 3cd010g.pdf pdf_icon

3CD010G

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD010G DESCRIPTION DC Current Gain h = 15@I = -0.75A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage V = -200V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYM

 8.1. Size:145K  china
 3cd010.pdf pdf_icon

3CD010G

3CD010 PNP B C D E F G H PCM TA=75 10 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=0.5m 4.0 V ICBO VCBA

Другие транзисторы... TMPTA56 , TMPTA63 , TMPTA64 , TMPTA70 , TMPTA92 , TMPTA93 , TMPTH81 , 2SD1047-247 , BD140 , 3DD6E , ISCN341N , ISCP233N , KSE340J , KSE350J , KSH13005 , 2SC3866A , 3DK501D .

 

 
Back to Top

 


 
.