3CD010G Todos los transistores

 

3CD010G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD010G

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15

Empaquetado / Estuche: TO66

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3CD010G Datasheet (PDF)

..1. 3cd010g.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

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isc Silicon PNP Power Transistor 3CD010GDESCRIPTIONDC Current Gain: h = 15@I = -0.75AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage: V = -200V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYM

8.1. 3cd010.pdf Size:145K _china

3CD010G

3CD010 PNP B C D E F G H PCM TA=75 10 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=0.5m 4.0 V ICBO VCBA

Otros transistores... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , D882 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
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