3CD010G Todos los transistores

 

3CD010G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CD010G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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3CD010G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
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3CD010G

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD010GDESCRIPTIONDC Current Gain: h = 15@I = -0.75AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage: V = -200V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYM

 8.1. Size:145K  china
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3CD010G

3CD010 PNP B C D E F G H PCM TA=75 10 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=0.5m 4.0 V ICBO VCBA

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History: HIT468

 

 
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