3CD010G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CD010G  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO66

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3CD010G datasheet

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
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3CD010G

isc Silicon PNP Power Transistor 3CD010G DESCRIPTION DC Current Gain h = 15@I = -0.75A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage V = -200V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYM

 8.1. Size:145K  china
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3CD010G

3CD010 PNP B C D E F G H PCM TA=75 10 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=0.5m 4.0 V ICBO VCBA

Otros transistores... TMPTA56, TMPTA63, TMPTA64, TMPTA70, TMPTA92, TMPTA93, TMPTH81, 2SD1047-247, BD140, 3DD6E, ISCN341N, ISCP233N, KSE340J, KSE350J, KSH13005, 2SC3866A, 3DK501D