Справочник транзисторов. ISCN341N

 

Биполярный транзистор ISCN341N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ISCN341N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 720 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO3PN

Аналоги (замена) для ISCN341N

 

 

ISCN341N Datasheet (PDF)

..1. iscn341n.pdf Size:260K _inchange_semiconductor

ISCN341N
ISCN341N

isc Silicon NPN Power Transistors ISCN341NDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage: V = 450V (Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 720 VCBOV Collector-Emitter Voltage 450 VCEO

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , D882 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top