Справочник транзисторов. ISCN341N

 

Биполярный транзистор ISCN341N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ISCN341N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 720 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO3PN
 

 Аналог (замена) для ISCN341N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISCN341N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  inchange semiconductor
 iscn341n.pdf pdf_icon

ISCN341N

isc Silicon NPN Power Transistors ISCN341NDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage: V = 450V (Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 720 VCBOV Collector-Emitter Voltage 450 VCEO

 9.1. Size:252K  inchange semiconductor
 iscn372n.pdf pdf_icon

ISCN341N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN372NDESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V(Min)(BR)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSUltrahigh-definition CRT display horizontal deflectionoutput applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

 9.2. Size:251K  inchange semiconductor
 iscn366p.pdf pdf_icon

ISCN341N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN366PDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20-60@I = 0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

 9.3. Size:228K  inchange semiconductor
 iscn372m.pdf pdf_icon

ISCN341N

isc Silicon NPN Power Transistor ISCN372MDESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V(Min)(BR)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSUltrahigh-definition CRT display horizontal deflectionoutput applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... TMPTA64 , TMPTA70 , TMPTA92 , TMPTA93 , TMPTH81 , 2SD1047-247 , 3CD010G , 3DD6E , A1941 , ISCP233N , KSE340J , KSE350J , KSH13005 , 2SC3866A , 3DK501D , 3DA77 , 3DF5B .

 

 
Back to Top

 


 
.