Справочник транзисторов. KSE350J

 

Биполярный транзистор KSE350J - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSE350J

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 260 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора: TO126

Аналоги (замена) для KSE350J

 

 

KSE350J Datasheet (PDF)

..1. kse350j.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

KSE350J KSE350J

isc Silicon PNP Power Transistor KSE350JDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter breakdown voltageLow Collector Saturation VoltageComplement to Type KSE340J100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage general purpose applicationsSuitable for transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

8.1. kse350.pdf Size:37K _fairchild_semi

KSE350J KSE350J

KSE350High Voltage General Purpose Applications High Collector-Emitter Breakdown Voltage Suitable for Transformer Complement to KSE340TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 300 V

8.2. kse350.pdf Size:44K _samsung

KSE350J KSE350J

KSE350 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH COLLECTOR-EMITTERTO-126SUSTAINING VOLTAGEHIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSEAPPLICATIONSSUITABLE FOR TRANSFORMERComplement to KSE340ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -300 V Collector-Emitter Voltage VCEO -300 V Emitter- Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -500 mA Collect

 8.3. kse350.pdf Size:250K _inchange_semiconductor

KSE350J KSE350J

isc Silicon PNP Power Transistor KSE350DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter breakdown voltageLow Collector Saturation VoltageComplement to Type KSE340Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage general purpose applicationsSuitable for transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top