3DF5B - описание и поиск аналогов

 

3DF5B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DF5B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DF5B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DF5B даташит

 ..1. Size:254K  inchange semiconductor
 3df5b.pdf pdf_icon

3DF5B

isc Silicon NPN Power Transistor 3DF5B DESCRIPTION With TO-3 packaging Excellent Safe Operating Area DC Current Gain- h =15(Min)@I = 2.5A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid

Другие транзисторы: ISCN341N, ISCP233N, KSE340J, KSE350J, KSH13005, 2SC3866A, 3DK501D, 3DA77, 2SD718, ISCN366P, ISCN372M, ISCN372N, SSCP005GSB, SJT13009NT, 2N5401B, 2N5401B-Y1, 2N5401B-Y2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.