3DF5B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DF5B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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3DF5B datasheet

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3DF5B

isc Silicon NPN Power Transistor 3DF5B DESCRIPTION With TO-3 packaging Excellent Safe Operating Area DC Current Gain- h =15(Min)@I = 2.5A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid

Otros transistores... ISCN341N, ISCP233N, KSE340J, KSE350J, KSH13005, 2SC3866A, 3DK501D, 3DA77, 2SD718, ISCN366P, ISCN372M, ISCN372N, SSCP005GSB, SJT13009NT, 2N5401B, 2N5401B-Y1, 2N5401B-Y2